基于量子力学计算的硅中中性空位扩散路径抽样
材料科学
2009-11-10 v2
摘要
我们报告了对晶体硅中由空位引起的自扩散的第一性原理研究。从 fully 松弛的中性空位配置开始，我们搜索局部扩散路径。空位通过跳到第一最近邻位置进行扩散，其能垒为 0.40 eV，与实验结果一致。识别了诸如重新取向以及通过 Wooten-Winer-Weaire 过程复合悬垂键等竞争机制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0308289,
title = {Sampling the diffusion paths of a neutral vacancy in Silicon with quantum mechanical calculations},
author = {Fedwa El-Mellouhi and Normand Mousseau and Pablo Ordejón},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0308289},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 5 figures, accepted for publication in Pysical review B