GaAs 中自扩散的理论研究
材料科学
2008-02-03 v1
摘要
采用从头算分子动力学模拟来研究砷化镓中镓空位的主要迁移机制，并评估其形成自由能和镓自扩散的速率常数。我们的分析表明，空位通过第二近邻跳跃迁移。计算得到的自扩散常数与在 ^69 GaAs/ ^71 GaAs 同位素异质结构中获得的实验值吻合良好，但与早期从 GaAlAs/GaAs 异质结构互扩散实验中得到的值存在显著差异。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9612026,
title = {Theory of self-diffusion in GaAs},
author = {Michel Bockstedte and Matthias Scheffler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9612026},
year = {2008}
}
备注
15 pages, 4 figures. Z. Phys. Chem, in print