GaAs中镓空位的电荷依赖迁移路径
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
利用SIEST-ART（局域基组从头算程序SIESTA与激活-弛豫技术(ART nouveau)的结合），我们研究了GaAs中镓空位的扩散机制。发现空位通过两种不同的机制扩散到第二近邻，以及通过各种机制扩散到第一和第四近邻。我们发现能垒的高度对费米能级敏感，并且通常随着电荷态的增加而增加。迁移路径本身可能强烈依赖于电荷态，并且可能随着电荷态的变化而出现或消失。过渡态和迁移势垒的这些差异可以通过空位迁移过程中发生的电荷转移来解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606415,
title = {Charge-dependent migration pathways for the Ga vacancy in GaAs},
author = {Fedwa El-Mellouhi and Normand Mousseau},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606415},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 7 figures