(Ga,Mn)As 中替代式 Mn 的扩散与团簇化
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
采用多尺度方法研究了 (Ga,Mn)As 在生长和生长后退火过程中由 Ga 空位介导的微观结构演化。从第一性原理计算了 Ga 空位与替代式 Mn 的迁移势垒及其相互作用，并利用晶格动力学蒙特卡罗模拟研究了温度在 200 至 350C 范围内的时间演化。我们表明，在典型的生长和退火温度下， 镓空位为替代式 Mn 提供了扩散机制， 在 10--20 小时内，空位介导的 Mn 扩散促进了替代式团簇的形成。团簇化降低了居里温度 ()，因此 Mn 团簇化结合间隙 Mn 的快速扩散解释了实验观察到的 的双重退火行为。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0603135,
title = {Diffusion and clustering of substitutional Mn in (Ga,Mn)As},
author = {Hannes Raebiger and Maria Ganchenkova and Juhani von Boehm},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603135},
year = {2007}
}