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在阿司默掺杂下制备的 GaMnAs 层中实现高磁有序相临界温度

材料科学 2007-05-23 v2

作者: J. Sadowski , J. Z. Domagala , V. Osinniy , J. Kanski , M. Adell , L. Ilver , C. Hernandez , F. Terki , S. Charar , D. Maude

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摘要

通过分子束外生长生长的薄 GaMnAs 层进行了低温后生长退火处理，并在 GaMnAs 表面直接沉积了无定形砷封装层。我们表明，砷封装层的存在显著缩短了后生长退火时间，并促进了 Mn 杂质离子从 GaMnAs 体积中完全扩散出来。

关键词

GaMnAs 磁有序相临界温度退火砷封装 Mn 杂质离子

引用

@article{arxiv.cond-mat/0601623,
  title  = {High ferromagnetic phase transition temperatures in GaMnAs layers annealed under arsenic capping},
  author = {J. Sadowski and J. Z. Domagala and V. Osinniy and J. Kanski and M. Adell and L. Ilver and C. Hernandez and F. Terki and S. Charar and D. Maude},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601623},
  year   = {2007}
}

备注

17 pages including 6 figures