高纯半绝缘SiC中空位缺陷的聚集
材料科学
2015-06-25 v3
摘要
使用正电子寿命谱研究了半绝缘碳化硅中的本征空位缺陷。结果表明，该材料包含(i)由4-5个缺失原子组成的空位团簇和(ii)与Si空位相关的带负电缺陷。在生长态和退火态材料中，与团簇结合的总开放体积与电阻率呈反相关。我们的结果表明，与Si空位相关的复合物在电学上补偿了生长态材料，但在退火过程中迁移以增大团簇尺寸，导致电阻率降低。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0603849,
title = {Clustering of vacancy defects in high-purity semi-insulating SiC},
author = {R. Aavikko and K. Saarinen and F. Tuomisto and B. Magnusson and N. T. Son and E. Janzen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603849},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 5 figures