SiC 微纳颗粒中 Si 空位发光的应变调控

半导体中的单光子发射点缺陷已成为未来量子技术器件的强有力候选者。在本工作中，我们利用晶体颗粒研究相关缺陷局域化、发射偏移与波导效应。具体而言，使用阴极发光（CL）收集尺寸从 100 nm 到 5 $\mu$m 的 6H-SiC 微颗粒和纳米颗粒的发射，并监测归属于 Si 空位（V$_{\textrm{Si}}$）的信号随其位置的变化。对于局域在颗粒中心和边缘的发射体，发现发射波长有明显偏移。通过将空间 CL 图与透射电子显微镜中进行的应变分析比较，我们将发射偏移归因于沿颗粒 a 方向 2-3% 的压应变。因此，将 V$_{\textrm{Si}}$ 量子比特缺陷嵌入 SiC 纳米颗粒中，提供了一种有趣且多功能的调控单光子发射能量的机会，同时通过自组装 SiC 纳米颗粒矩阵确保易于寻址。