利用 SiC 中的自旋量子比特绘制纳米磁体的杂散场
材料科学
2020-09-02 v1 量子物理
摘要
我们报道了利用 SiC 中光可寻址的自旋量子比特探测由光刻图案化于 SiC 晶体表面的铁磁微结构所产生的磁杂散场。杂散场引起自旋中心共振频率的移动。自旋共振由图案化于磁元件旁、微米尺寸的微波天线驱动。该天线的图案化设计确保驱动微波场相较传统毫米尺寸电路更具局域性与更高效率地传输。对于两种不同的磁状态，在距磁元件不同距离处观察到 SiC 中自旋中心共振频率的明显差异。我们的结果提供了一个晶圆级平台，通过部署局域微波场与微米尺度的杂散场分布来发展混合磁子-量子应用。
引用
@article{arxiv.2009.00347,
title = {Mapping the stray fields of a nanomagnet using spin qubits in SiC},
author = {M. Bejarano and F. J. T. Goncalves and M. Hollenbach and T. Hache and T. Hula and Y. Berencén and J. Fassbender and M. Helm and G. V. Astakhov and H. Schultheiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.00347},
year = {2020}
}
备注
4 pages, 4 figures, submitted to APL