利用全局场对硅中电子自旋量子比特的相干控制
介观与纳米尺度物理
2022-11-08 v2
摘要
硅自旋量子比特有望借助过去半个世纪硅纳米电子器件制造的非凡进展，提供大规模量子处理器。尽管使用硅技术具有可扩展性优势，但实现运行某些最苛刻量子算法所需数百万量子比特的量子计算机仍面临若干突出挑战，包括如何同时控制如此多的量子比特。最近，紧凑型 3D 微波介质谐振器被提出作为一种仅使用单一微波源即可在整个量子芯片上提供自旋量子比特控制磁场的方法。尽管在全球施加的微波场中演示了单个电子的自旋共振，但自旋是以非相干方式控制的。在此，我们报道了在平面 SiMOS 量子点器件中使用片外生成的全局磁场对单电子自旋量子比特的相干 Rabi 振荡。观察到由介质谐振器驱动的相干量子比特控制，为基于自旋的量子计算机实现大规模控制确立了可信路径。
引用
@article{arxiv.2107.14622,
title = {Coherent control of electron spin qubits in silicon using a global field},
author = {E. Vahapoglu and J. P. Slack-Smith and R. C. C. Leon and W. H. Lim and F. E. Hudson and T. Day and J. D. Cifuentes and T. Tanttu and C. H. Yang and A. Saraiva and N. V. Abrosimov and H. -J. Pohl and M. L. W. Thewalt and A. Laucht and A. S. Dzurak and J. J. Pla},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.14622},
year = {2022}
}