硅中施主束缚电子自旋量子比特的全电控制
介观与纳米尺度物理
2017-03-17 v1
摘要
我们提出了一种在硅中基于施主的量子比特中电控电子自旋的方法。利用单施主和双施主量子点之间的超精细耦合差异，可以通过在它们之间感应出电偶极矩并施加由面内栅极产生的交变电场来驱动自旋旋转。这些量子比特可以通过由顶部失谐栅极控制的交换相互作用进行耦合。该量子比特器件可以通过扫描隧道探针技术以原子级精度在硅晶格深处制备。我们将大规模全带原子紧束缚建模方法与含时有效哈密顿量描述相结合，提供了具有定量指导意义的设计方案。
引用
@article{arxiv.1703.05370,
title = {All-electrical control of donor-bound electron spin qubits in silicon},
author = {Yu Wang and Chin-Yi Chen and Gerhard Klimeck and Michelle Y. Simmons and Rajib Rahman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.05370},
year = {2017}
}