SOI CMOS 技术中电子自旋/谷量子比特的全电学控制
介观与纳米尺度物理
2019-12-25 v1
摘要
我们使用标准 SOI CMOS 工艺流程制备了量子点（QD）器件，并演示由于谷间自旋轨道耦合，受限电子的自旋可通过局域电场激发进行控制。我们讨论通过额外电极调制限制几何结构，可能实现量子比特（qubit）在可电寻址的谷构型与受保护的自旋构型之间切换。该方案对于改善 Si 量子比特平台上量子计算快速操作与慢退相干之间的权衡具有意义。最后，我们提及工艺诱导的涨落对工作偏置范围的影响。
引用
@article{arxiv.1912.11403,
title = {All-Electrical Control of an Electron Spin/Valley Quantum Bit in SOI CMOS Technology},
author = {Léo Bourdet and Louis Hutin and Benoit Bertrand and Andrea Corna and Heorhii Bohuslavskyi and Anthony Amisse and Alessandro Crippa and Romain Maurand and Sylvain Barraud and Matias Urdampilleta and Christopher Bäuerle and Tristan Meunier and Marc Sanquer and Xavier Jehl and Silvano De Franceschi and Yann-Michel Niquet and Maud Vinet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.11403},
year = {2019}
}
备注
arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1912.09806