SOI CMOS 技术中混合电子自旋/谷量子比特的全电学控制
介观与纳米尺度物理
2019-12-23 v1
摘要
我们实验成功演示了采用标准 CMOS 工艺流制造的 SOI 量子点(QD)器件中受限电子自旋的电场介导控制。此外，我们表明 SOI 器件中的背栅控制能够将量子比特(qubit)在电可寻址但电荷噪声敏感的构型与受保护构型之间切换。
引用
@article{arxiv.1912.09806,
title = {All-Electrical Control of a Hybrid Electron Spin/Valley Quantum Bit in SOI CMOS Technology},
author = {L. Hutin and L. Bourdet and B. Bertrand and A. Corna and H. Bohuslavskyi and A. Amisse and A. Crippa and R. Maurand and S. Barraud and M. Urdampilleta and C. Bäuerle and T. Meunier and M. Sanquer and X. Jehl and S. De Franceschi and Y. -M. Niquet and M. Vinet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.09806},
year = {2019}
}