硅中施主束缚电子自旋的自旋-轨道耦合强度增强的测量
介观与纳米尺度物理
2024-10-17 v1 量子物理
摘要
传统上认为自旋-轨道相互作用对量子点自旋量子比特是有害的，但最近重新审视，因为它允许通过片上交流电场实现快速相干控制。对于体硅中的电子，SOC本质上是弱的，但在表面和界面处或通过原子排列可以增强。这里我们展示，与单个施主相比，多施主量子点的多体波函数中自旋-轨道耦合强度可以局部增强两个数量级以上，达到迄今仅报道的空穴或具有特定对称性的双施主系统的强度。我们的发现可能为利用电偶极自旋共振（EDSR）实现硅中施主束缚自旋的全电控制提供途径。
引用
@article{arxiv.2404.15762,
title = {Measurement of enhanced spin-orbit coupling strength for donor-bound electron spins in silicon},
author = {Radha Krishnan and Beng Yee Gan and Yu-Ling Hsueh and A. M. Saffat-Ee Huq and Jonathan Kenny and Rajib Rahman and Teck Seng Koh and Michelle Y. Simmons and Bent Weber},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.15762},
year = {2024}
}