SiC中碳团簇的结构与振动光谱
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
通过ab initio方法研究了3C和4H-SiC中小碳间隙原子和反位团簇的电子、结构和振动性质。这些缺陷具有可观的离解能，可以通过碳间隙原子的凝聚形成，例如在离子注入过程中产生的间隙原子。所有考虑的缺陷复合体都具有远高于SiC体声子谱的局域振动模式（LVM）。特别是，紧凑的反位团簇表现出高达250meV的高频LVM。分析了由富集引起的同位素位移。基于这些结果，讨论了光致发光中心D_{II}和P-U。双碳反位被确定为D_{II}中心的一个合理关键成分，而碳分裂间隙原子可能是P-T中心的起源。计算和观察到的高频模式的比较表明，U中心也是一个基于碳反位的缺陷。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409318,
title = {Structure and vibrational spectra of carbon clusters in SiC},
author = {Alexander Mattausch and Michel Bockstedte and Oleg Pankratov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409318},
year = {2007}
}
备注
15 pages, 6 figures, accepted by Phys. Rev. B