基于第一性原理的体硅中 C-C 复合体的结构、电子和光学性质
材料科学
2018-09-06 v2
摘要
硅中 CiCs 复合体的结构长期以来一直存在争议。大量的理论和实验研究试图阐明这些缺陷的性质，它们是有发光 G 中心的根源。这些缺陷与激光应用相关，并且在体硅中控制其形成和浓度将是有利的。因此，理解其结构和电子性质至关重要。在本文中，我们给出了体硅中 CiCs 复合体的四种可能构型（即 A-、B-、C- 和 D-型）的结构、电子和光学性质。这些构型通过密度泛函理论 (DFT) 和多体微扰理论 (MBPT) 进行了研究。我们的结果表明，在某些实验中 C-型被误解释为 B-型。我们的光学研究也倾向于排除 A- 和 B-型对发光的任何贡献。综合来看，我们的结果表明 C-型可能在重碳掺杂硅中发挥重要作用。
引用
@article{arxiv.1702.02334,
title = {Structural, electronic, and optical properties of the C-C complex in bulk silicon from first principles},
author = {Dilyara Timerkaeva and Claudio Attaccalite and Gilles Brenet and Damien Caliste and Pascal Pochet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.02334},
year = {2018}
}