a-Si:H 结构、电子及光学性质的第一性原理分析
材料科学
2017-03-31 v1
摘要
我们提出对氢化非晶硅 (a-Si:H) 的结构、电子和光学性质的第一性原理研究。为此，分别使用分子动力学生成了包含 72 个和 576 个原子的 a-Si:H 原子构型。随后对这些构型应用密度泛函理论计算以获得电子波函数。对这些波函数就其局域化程度及其对态密度的贡献进行了分析与表征，并用于计算 a-Si:H 的第一性原理吸收光谱。结果表明，构型的尺寸和缺陷结构均会改变其电子和光学性质，尤其是带隙的值。通过使用 GW 方法计算单粒子谱的准粒子 (QP) 修正，可以改善该带隙值。我们发现 QP 修正可以用一组剪刀差平移参数来描述，这些参数也可用于更大结构的计算。
引用
@article{arxiv.1703.10487,
title = {Ab-initio analysis of structural, electronic, and optical properties of a-Si:H},
author = {Philippe Czaja and Urs Aeberhard and Massimo Celino and Simone Giusepponi and Michele Gusso},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.10487},
year = {2017}
}