应变键对非晶硅电子结构的影响
材料科学
2020-12-23 v1 无序系统与神经网络
摘要
采用不同的淬火速率进行熔融和淬火的经典分子动力学(MD)方案，生成了若干非晶硅结构。对这些结构计算所得电子性质的分析表明，在太阳能电池和薄膜晶体管应用中备受关注的非晶硅(a-Si)的带隙中间态密度可与键角标准偏差相关联。我们还发现，该参数能强烈决定 a-Si 的过剩能量，而这是理论生成真实 a-Si 原子结构的重要判据。
引用
@article{arxiv.2012.11992,
title = {The Effect of Strained Bonds on the Electronic Structure of Amorphous Silicon},
author = {Reza Vatan Meidanshahi and Payam Mehr and Stephan Marshal Goodnick},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.11992},
year = {2020}
}