非晶硅电子态中的安德森转移及热效应
无序系统与神经网络
2009-10-31 v1 材料科学
摘要
我基于大规模计算（包括数千个原子的真实模型）讨论非晶硅中电子态的性质。综述了一种相对简单的数模型，用于描述局域态向延拓态（安德森）转移。随后考虑了热失配对局域电子态的影响。发现在可轻易实现的条件下，局域（介导态或带尾态）及其共轭能量会出现剧烈波动。简要讨论了非绝热原子动力学对掺杂或光激发系统的可能重要性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9909455,
title = {Anderson transition and thermal effects on electron states in amorphous silicon},
author = {D. A. Drabold},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9909455},
year = {2009}
}
备注
Was presented at ICAMS18, Snowbird UT, August 1999. Submitted to J. of Non-Cryst. Solids