机械剪切形变诱导的非晶硅晶化
材料科学
2015-05-28 v1 无序系统与神经网络
摘要
我们利用经典分子动力学 (MD) 模拟和经验的环境依赖原子间势 (EDIP) [Phys. Rev. B 56, 8542 (1997)]，研究了非晶硅 (a-Si) 对外部机械剪切形变的响应，特别是其晶化行为。与先前结果一致，我们发现在低剪切速率和低温下，剪切形变会增加无序度和缺陷密度。然而，在高温下，形变被发现能够诱导晶化，这展示了一种与剪切速率和温度均相关的动力学转变。我们从受剪切与未受剪切材料之间的势能差 (PED)、缺陷比例以及具有晶体环境的粒子数目等方面，分析了非晶硅在剪切形变下的性质以及系统发生晶化的程度。
引用
@article{arxiv.1104.5692,
title = {Crystallization of amorphous silicon induced by mechanical shear deformations},
author = {Ali Kerrache and Normand Mousseau and Laurent J. Lewis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.5692},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 12 figures