mK 温度下非晶硅薄膜的弹性测量

由于存在尚未被充分理解的低能激发，玻璃的低温性质不同于晶体。隧穿模型提出这些激发是在相邻平衡位置之间隧穿的原子，形成隧穿二能级系统 (TLSs)。该模型相当成功，但它无法解释在 1 开尔文附近机械耗散 $Q^{-1}$ 具有显著普适性的值。已知该普适性的唯一例外是某些非晶硅、碳和锗薄膜的 $Q^{-1}$。最近发现，通过在沉积过程中提高基底温度，非晶硅 薄膜的 $Q^{-1}$ 可以降低两个数量级。根据隧穿模型，1 开尔文处 $Q^{-1}$ 的降低意味着 $P_{0}\gamma ^{2}$ 的降低，其中 $P_{0}$ 是 TLSs 的密度，$\gamma$ 是它们与声子的耦合。在本初步报告中，我们展示了低至 20 mK 的 a-Si 薄膜的弹性测量。这将使我们能够在未来的工作中确定，是 $P_{0}$ 还是 $\gamma$ 导致了 $Q^{-1}$ 随沉积温度的降低。