非晶硅中的内部机械耗散机制
无序系统与神经网络
2022-09-07 v1 材料科学
摘要
利用 Activation-Relaxation Technique-nouveau，我们在非晶硅（a-Si）模型中搜索两能级系统（TLSs）。TLSs 是与内部机械耗散相关的机制，代表了最大引力波探测器最敏感频段中噪声的主要来源，也是众多量子计算机中退相干的主要来源之一。我们表明，在 a-Si 中，多数相关 TLSs 归于两大类：邻居交换拓扑缺陷的键缺陷跳跃，以及 Wooten-Winer-Weaire 键交换。这些类别的分布严重依赖于 a-Si 的制备流程。我们利用结果计算非晶硅的机械损耗，得出室温下损耗角为 0.001，在某些构型中于 150 K 降至 0.0001。我们的建模结果表明，无序材料中可引发具实验相关性的 TLSs 的事件存在多类，因而可能需要多种衰减策略以降低其影响。
引用
@article{arxiv.2209.02342,
title = {Internal mechanical dissipation mechanisms in amorphous silicon},
author = {Carl Lévesque and Sjoerd Roorda and François Schiettekatte and Normand Mousseau},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.02342},
year = {2022}
}
备注
10 pages, 10 figures