基于从头算分子动力学方法生成的p-Si和p-Si:H模型的发射光谱
计算物理
2011-08-18 v1 材料科学
摘要
我们创建了4个p-Si模型和4个p-Si:H模型，所有模型的孔隙率均为50%。这些模型分别包含32、108、256和500个硅原子，其孔隙平行于模拟单元的一个轴，并具有规则的横截面。我们通过从头算计算方法获得了模型的态密度。我们编写了一个代码，在考虑特定激发和衰变条件的情况下，模拟了这些结构的发射光谱。将模拟光谱与实验结果进行比较后，我们观察到，对于p-Si模型，发射光谱最大值的位置可能与硅骨架的尺寸有关（正如量子限制模型所述），而对于p-Si:H结构，则与氢浓度有关。我们得出结论，量子限制模型可用于解释p-Si结构的发射，但对于p-Si:H模型，则需要考虑其他理论。
引用
@article{arxiv.1108.3352,
title = {Emission spectra of p-Si and p-Si:H models generated by ab initio molecular dynamics methods},
author = {E. R. L. Loustau and Ariel A. Valladares},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.3352},
year = {2011}
}