光解离区域中硅的大丰度
天体物理学
2009-11-13 v1
摘要
我们对ρ Oph和σ Sco星形成区进行了一次维一维扫描观测，使用ISO上装配的两台光谱仪(SWS和LWS)。在ρ Oph区域，检测到[SiII] 35μm、[OI] 63μm、146μm、[CII] 158μm，以及H2纯旋转跃迁线S(0)到S(3)，并推导出PDR属性：辐射场相对于太阳邻近值G_0~30-500、气体密度n~250--2500/cm^3、以及表面温度T~100-400 K。[SiII] 35μm与[OI] 146μm之比表明，硅的10--20%必须以气态形式存在于光解离区域(PDR)中，这表明即使在PDR中也正在进行有效的尘埃破坏，且部分硅原子可能以易挥发形式存在于尘埃颗粒中。[OI] 63μm和[CII] 158μm发射相对于[OI] 146μm而言过弱，无法用标准PDR模型解释。我们提出一种简单模型，其中沿视线重叠的PDR云吸收[OI] 63μm和[CII] 158μm发射，并表明该模型能够较好地再现观测到的线强度。在σ Sco区域，我们检测到3条细结构线：[OI] 63μm、[NII] 122μm和[CII] 158μm，并推导出30-80%的[CII]发射来自离子化气体。[SiII] 35μm的上限与氮相对硅的丰度一致，对于σ Sco区域没有有效约束可用于气态Si。
引用
@article{arxiv.astro-ph/0511525,
title = {Large Silicon Abundance in Photodissociation Regions},
author = {Yoko Okada and Takashi Onaka and Takao Nakagawa and Hiroshi Shibai and Daigo Tomono and Yukari Y. Yui},
journal= {arXiv preprint arXiv:astro-ph/0511525},
year = {2009}
}
备注
25 pages with 7 figures, accepted in Astrophysical Journal