碳化硅纳米线中碳团簇的理论研究
材料科学
2011-07-21 v3
摘要
我们利用第一性原理方法对碳化硅纳米线中的碳团簇进行了理论研究。我们检查了沿 [100] 和 [111] 方向生长的氢钝化 SiC 纳米线中具有碳间隙和反位的小团簇。这些团簇的形成能作为碳浓度的函数进行了计算。我们验证了 SiC 纳米线中碳缺陷的能量稳定性强烈依赖于纳米线表面的成分：在碳包覆的 [100] SiC 纳米线中能量上最有利的构型，预期不会出现在硅包覆的 [100] SiC 纳米线中。我们还获得了一些聚集体的结合能，它们表明 SiC 纳米线中碳团簇的形成在能量上是有利的。
引用
@article{arxiv.1010.0945,
title = {Theoretical Study of Carbon Clusters in Silicon Carbide Nanowires},
author = {J. M. Morbec and R. H. Miwa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.0945},
year = {2011}
}
备注
6 pages, 5 figures; 8 pages, http://www.hindawi.com/journals/jnt/2011/203423/