SiC 中碳杂位簇：D_{II} 中心的可能通道
材料科学
2007-05-23 v3
摘要
光致发光中心 D_{II} 是一种常见于所有 SiC 多态结构中的持久内在缺陷，其特征是在发光光谱中表现为特征声子复制。我们对各种缺陷复合物的振动谱进行 ab initio 计算，发现碳杂位簇在 D_{II} 光谱频率范围内具有振动模式。这些簇具有非常高的结合能，保证了其热力学稳定性——这一点是 D_{II} 中心的一个已知特征。二氮化物 (C_{2})_{Si}（两个碳原子共享一个硅位点）是这些簇的一个重要构件。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0309112,
title = {Carbon antisite clusters in SiC: a possible pathway to the D_{II} center},
author = {Alexander Mattausch and Michel Bockstedte and Oleg Pankratov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309112},
year = {2007}
}
备注
RevTeX 4, 6 pages, 3 figures Changes in version 2: Section headings, footnote included in text, vibrational data now given for neutral split-interstitial, extended discussion of the [(C_2)_Si]_2 defect incl. figure Changes version 3: Correction of binding energy for 3rd and 4th carbon atom at antisite; correction of typos