4H-SiC 中的 M 中心是碳自间隙原子
材料科学
2021-06-01 v2
摘要
具有光谱指纹特征的自间隙原子的半导体材料名单很短。4H-SiC 中的 M 中心是一种导致一系列电子陷阱的双稳态缺陷，近二十年来一直缺乏能够揭示其真正重要性的模型。利用先进的第一性原理计算和结区谱学，我们证明 M 的性质，包括双稳态、退火、重构动力学和电子能级，与碳自间隙原子相符。
引用
@article{arxiv.2105.04209,
title = {The M-center in 4H-SiC is a carbon self-interstitial},
author = {J. Coutinho and J. D. Gouveia and T. Makino and T. Ohshima and Ž. Pastuović and L. Bakrač and T. Brodar and I. Capan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.04209},
year = {2021}
}