低能电子辐照 4H-SiC 中的 M 中心
材料科学
2022-07-06 v1
摘要
我们报道了通过深能级瞬态谱（DLTS）和 Laplace-DLTS 研究的低能电子辐照 4H-SiC 材料。电子辐照引入了以下深能级缺陷：先前归属于碳间隙相关缺陷的 EH1 和 EH3，以及 M 中心——一种同样近期被归属于碳间隙缺陷的亚稳缺陷。我们提出 EH1 和 EH3 分别与 M1 和 M3 相同，并将它们分别归属于 C_i^(=) (h) 和 C_i^(0) (h)。此外，我们提供了直接证据，表明 Laplace-DLTS 可作为一种优异的工具，用于区分原本相同的与 S1 (VSi) 和 EH1 (Ci) 相关的 DLTS 信号。
引用
@article{arxiv.2204.06921,
title = {M-center in low-energy electron irradiated 4H-SiC},
author = {Tihomir Knezevic and Amira Hadzipasic and Takeshi Ohshima and Takahiro Makino and Ivana Capan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.06921},
year = {2022}
}
备注
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