4H-SiC 中 TS 缺陷的实验特性研究
应用物理
2024-10-18 v1
摘要
在对 4H 碳化硅（SiC）晶体进行退火时，会出现一系列光学活性缺陷中心，其中 TS 中心是一个突出的例子。在此，我们在单缺陷水平上进行了低温光致发光分析。分析表明，出现的三种光谱特征 TS1、TS2 和 TS3 源自同一个单一缺陷。它们的偏振依赖性揭示了基面内三种不同的晶体学取向，这些取向与最近邻方向的投影相关。因此，在施加机械应变时，我们在系综研究中发现了三重能级分裂。这种依赖关系得到了定量校准。互补的电学测量，即深能级瞬态光谱，揭示了 TS 缺陷在价带上方 0.6 eV 处的电荷跃迁能级。对于未来的识别而言，对其光学和电子特性及其对机械应变响应的精确表征是一个里程碑。
引用
@article{arxiv.2404.09618,
title = {On the experimental properties of the TS defect in 4H-SiC},
author = {Johannes A. F. Lehmeyer and Alexander D. Fuchs and Zhengming Li and Titus Bornträger and Fabio Candolfi and Maximilian Schober and Marcus Fischer and Martin Hartmann and Elke Neu and Michel Bockstedte and Michael Krieger and Heiko B. Weber},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.09618},
year = {2024}
}
备注
8 pages + supporting information