氧缺乏无定形硅氧化物中 E'delta 与三重态缺陷的表征
无序系统与神经网络
2007-05-23 v2
摘要
我们报告了对 γ 射线辐照后氧缺乏无定形 SiO2 材料中点缺陷的电子参数谱研究。我们发现诱导了三个内在缺陷（E'gamma、E'delta 和三重态）以及一个外在缺陷（[AlO4]0），均为顺磁中心。除 E'gamma 中心外，所有顺磁缺陷在剂量超过 10^3 kGy 后浓度均达到饱和值，表明其生成过程源于前体物质。对剂量为 10^3 kGy 辐照样品进行等温热处理，结果显示在 T>500 K 时，E'gamma 与 E'delta 中心浓度随 [AlO4]0浓度下降而同步上升。这表明存在从 [AlO4]0 中心向 E' 中心非磁前体的空穴转移过程，证明了热力学诱导的 E'gamma 与 E'delta 中心呈正电荷态，并阐明了 E'gamma 中心源于氧空位。对 E'delta 中心及三种材料上 10 mT 双峰 EPR 信号进行等温和等时程序处理的比较研究表明，这两个 EPR 信号之间存在较为普遍的线性相关性，这一结果确认了 10 mT 双峰归属于 E'delta 中心的超弱结构，源于未配对电子与 29Si（I=1/2）核之间的相互作用。 E'gamma 与 E'delta 中心及其超弱结构的微波饱和特性之间存在类似性，表明未配对电子波函数涉及相似的 Si sp3 混合轨道；具体而言，E'delta 的未配对电子可能分布在四个等价 Si 原子的四个 sp3 混合轨道上。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505503,
title = {Characterization of E'delta and triplet point defects in oxygen deficient amorphous silicon dioxide},
author = {G. Buscarino and S. Agnello and F. M. Gelardi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505503},
year = {2007}
}
备注
Approved for publication in Physical Review B