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同位素纯化硅中硼受主的电子顺磁共振

材料科学 2015-05-18 v1

作者: H. Tezuka , A. R. Stegner , A. M. Tyryshkin , S. Shankar , M. L. W. Thewalt , S. A. Lyon , K. M. Itoh , M. S. Brandt

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摘要

发现硅中B受主的电子顺磁共振(EPR)线宽在同位素纯化的28Si单晶中显著减小。此外，EPR谱中可见极窄的子结构，对应于共振时吸收微波的增强或减弱。这些子结构的起源归因于受主四能级自旋系统中同时发生的双激发和自旋弛豫。建立了一个自旋布居模型，定性地描述了实验结果。

关键词

电子顺磁共振硼受主同位素纯化硅线宽自旋弛豫双激发

引用

@article{arxiv.1003.4339,
  title  = {Electron Paramagnetic Resonance of Boron Acceptors in Isotopically Purified Silicon},
  author = {H. Tezuka and A. R. Stegner and A. M. Tyryshkin and S. Shankar and M. L. W. Thewalt and S. A. Lyon and K. M. Itoh and M. S. Brandt},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1003.4339},
  year   = {2015}
}

备注

4 pages, 3 figures