4H-SiC中浅能级与深能级硼缺陷的理论
材料科学
2023-01-06 v1
摘要
尽管在改善型4H-SiC衬底和层质量方面取得了进展，我们仍缺乏一个能够解释文献中大量硼相关光学、结和顺磁共振实验的模型。一个显著的谜题是通过电子顺磁共振(EPR)和电子核双共振(ENDOR)数据发现的具有相当不同轴向取向的两个浅能级硼缺陷。这一特征在掺其他III族元素的材料中未观察到。另一个未解决的问题涉及对一个更深硼中心的发光和EPR研究得出的冲突结论，该中心已被联系到截然不同的模型，要么基于替代式硼缺陷，要么基于空位相关硼缺陷。我们通过第一性原理计算解决了这些及其他问题，其中研究了4H-SiC中硼缺陷的温度依赖稳定性、电子活性和顺磁响应。
引用
@article{arxiv.2301.01979,
title = {Theory of shallow and deep boron defects in 4H-SiC},
author = {Vitor J. B. Torres and Ivana Capan and José Coutinho},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.01979},
year = {2023}
}