非晶二氧化硅中 E'-alpha 中心的光吸收与电子顺磁共振
材料科学
2008-05-15 v1 无序系统与神经网络
摘要
我们报道了利用光吸收 (OA) 和电子顺磁共振 (EPR) 光谱对非晶二氧化硅 (a-SiO2) 中 E'-alpha 点缺陷的联合研究。该缺陷已在射线辐照及热处理的缺氧 a-SiO2 材料中被研究。我们的结果表明，E'-alpha 中心负责一个峰值位于 5.8 eV、半高全宽 (FWHM) 为 0.6 eV 的 OA 高斯带。相关电子跃迁的估算振子强度为 0.14。此外，我们发现该 OA 带与同一材料中诱导产生的 E'-gamma 中心的 OA 带非常相似，表明相关电子跃迁涉及高度局域于两种缺陷共有结构上的态。
引用
@article{arxiv.0805.2076,
title = {Optical Absorption and Electron Paramagnetic Resonance of the E'-alpha Center in Amorphous Silicon Dioxide},
author = {G. Buscarino and R. Boscaino and S. Agnello and F. M. Gelardi},
journal= {arXiv preprint arXiv:0805.2076},
year = {2008}
}
备注
5 pages, 3 figures