片上高 Q 谐振器中的 OH 吸收
光学
2023-07-05 v1
摘要
热氧化硅是所有硅光子电路中常用的介电材料。由于热氧化过程的湿性，束缚羟基离子（Si-OH）可在此材料中造成显著的光学损耗成分。相对于其他机制量化该损耗的一种便捷方式是通过 1380 nm 处的 OH 吸收。此处，利用超高 Q 热硅楔形微谐振器，测量了 OH 吸收损耗峰，并在 680 nm 至 1550 nm 波长范围内将其与散射损耗基线区分开。在近可见光和可见光波长处观察到创纪录的高片上谐振器 Q 因子，且在电信波段吸收受限 Q 因子高达 80 亿。由 Q 测量和二次离子质谱（SIMS）深度剖析推断出的 OH 离子含量水平约为 2.4 ppm（重量）。
引用
@article{arxiv.2303.17814,
title = {OH absorption in on-chip high-Q resonators},
author = {Lue Wu and Maodong Gao and Jin-Yu Liu and Hao-Jing Chen and Kellan Colburn and Henry A. Blauvelt and Kerry J. Vahala},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.17814},
year = {2023}
}
备注
4 pages, 3 figures