1550 nm 波长下晶体硅的光吸收测量
光学
2015-06-11 v2
摘要
晶体硅目前正被讨论作为未来将在低温下运行的引力波探测器的测试质量材料。我们呈现了在室温下对大尺寸晶体硅样品在 1550 nm 波长处的光吸收测量结果。吸收测量是在单片腔装置中利用光热自相位调制技术进行的。测得该电阻率为 11 kOhm cm 的浮区样品的吸收系数为 \alpha_A=(264 +/- 39)ppm/cm。
引用
@article{arxiv.1210.7763,
title = {Optical Absorption Measurements on Crystalline Silicon at 1550nm},
author = {Jessica Steinlechner and Christoph Krüger and Nico Lastzka and Sebastian Steinlechner and Alexander Khalaidovski and Roman Schnabel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.7763},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 6 figures, 1 table