1550nm 波长下晶体硅测试质量中表面吸收占主导的迹象
光学
2015-06-15 v1
摘要
未来引力波 (GW) 探测器的灵敏度将在宽频带内受到热噪声的限制。为了降低热噪声，建议欧洲引力波望远镜 (ET) 使用低温下的晶体硅测试质量以及 1550nm 的激光波长。在此，我们报告了在室温下对原型高电阻率晶体硅测试质量的光学损耗随光强度变化的测量结果。通过联合测量确定了来自体晶体和表面的总损耗。表征窗口涵盖了从低于 1W/cm（计划用于 ET 的强度）到 21kW/cm 的范围。观察到在高于几 kW/cm 的强度下存在非线性吸收。此外，我们还观察到一个与强度无关的偏移量，这可能源于晶体表面的吸收。估计该吸收约为 800 ppm/表面，对于光纤悬挂硅测试质量的低温运行而言可能过高。在其他近期对表面吸收不敏感的测量中未观察到此类偏移。最后，提出了一套进一步的表征测量方案，以明确区分来自表面和体晶体的贡献。
引用
@article{arxiv.1304.4126,
title = {Indication for dominating surface absorption in crystalline silicon test masses at 1550nm},
author = {Alexander Khalaidovski and Jessica Steinlechner and Roman Schnabel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.4126},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 4 figures-