晶体硅的双折射测量
光学
2015-12-16 v1
摘要
晶体硅已被提议作为第三代引力波探测器（如爱因斯坦望远镜(ET)）中的新型测试质量材料。双折射会降低干涉对比度，并可在干涉仪中产生动态扰动。在本工作中，我们采用包含硅作为双折射介质的法布里-珀罗腔的偏振依赖共振频率分析方法。我们的测量表明，在激光波长1550nm和室温下，硅沿(111)轴的双折射量级为 。我们提出一个模型，将不同测量设置的结果解释为样品中由外应力引起的弹性应变与生产过程中可能产生的塑性应变叠加所致。将我们的理论应用于所提议的ET测试质量几何结构表明，弹性应变对双折射无临界影响。
引用
@article{arxiv.1504.06503,
title = {Birefringence Measurements on Crystalline Silicon},
author = {Christoph Krüger and Daniel Heinert and Alexander Khalaidovski and Jessica Steinlechner and Ronny Nawrodt and Roman Schnabel and Harald Lück},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.06503},
year = {2015}
}
备注
19 pages, 6 figures, 2 tables