新的硅光电吸收测量对暗物质排除极限的影响

低温硅探测器技术的近期突破使得观测靶材内粒子相互作用释放的单个电子-空穴对成为可能。这意味着对低至最小带隙的能量沉积灵敏，硅的该值约为 $\sim1.2$ eV，因此可对 eV/$c^2$ 尺度的玻色子暗物质以及质量低于 100 MeV/$c^2$ 的热暗物质灵敏。在直接搜寻中可探测当前可及最低质量的各种相互作用通道均与标准光电吸收相关。在这些各自的暗物质信号模型中，光电吸收截面的任何不确定度都会传播至所得的排除极限或潜在观测的显著性中。利用斯坦福大学近期首次完成的硅光电吸收截面精确测量，本文考察了在这些暗物质搜寻中于低能与低温下准确掌握该参数的重要性。