低温下薄硅弯曲梁机械损耗的研究
材料科学
2013-09-02 v1
摘要
本文介绍了在5至300 K温度范围内对不同硅弯曲梁机械损耗的研究。这些弯曲梁通过不同的制备技术制成。在约10 K时，观察到130 μm厚弯曲梁的最低机械损耗为。虽然机械损耗在50 K以下遵循热弹性预测，但在更低温度下，不同表面处理方式会导致差异。这种表面损耗将限制所有在低温下使用硅基振荡器的应用。利用我们的测量结果和其他参考文献中的不同数据，提取了表面损耗参数。我们重点关注与引力波探测器相关的结构。获得的表面损耗参数 = 0.5 pm。这表明硅的表面损耗显著低于熔融石英的表面损耗。
引用
@article{arxiv.1003.2893,
title = {Investigation of mechanical losses of thin silicon flexures at low temperatures},
author = {R. Nawrodt and C. Schwarz and S. Kroker and I. W. Martin and F. Brückner and L. Cunningham and V. Große and A. Grib and D. Heinert and J. Hough and T. Käsebier and E. B. Kley and R. Neubert and S. Reid and S. Rowan and P. Seidel and M. Thürk and A. Tünnermann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.2893},
year = {2013}
}
备注
16 pages, 7 figures