辐照硅探测器在77 K至300 K之间的洛伦兹角测量
仪器与探测器
2009-11-06 v2
摘要
未来的实验将在高辐射环境和高磁场中使用硅探测器。通过将硅冷却到180 K以下可以提高其抗辐射能力。在低温下,迁移率增加,这导致洛伦兹力对电荷载流子的偏转更大。良好的洛伦兹角知识对于硅探测器的设计和操作是必要的。我们展示了在21 MeV质子初级束辐照前后,77 K至300 K之间的洛伦兹角测量结果。
引用
@article{arxiv.physics/0007059,
title = {Lorentz angle measurements in irradiated silicon detectors between 77 K and 300 K},
author = {W. de Boer and V. Bartsch and J. Bol and A. Dierlamm and E. Grigoriev and F. Hauler and S. Heising and O. Herz and L. Jungermann and T. Schneider},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0007059},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 9 figures, submitted to ICHEP2000, Osaka, Japan