高磁场中重辐照硅探测器的洛伦兹位移测量
仪器与探测器
2014-11-21 v1
摘要
外部磁场对硅条传感器内漂移的电荷施加洛伦兹力，从而移动收集电荷的簇位置。该位移可与洛伦兹角相关，在4 T磁场中，空穴的洛伦兹角通常为几度，电子为几十度。洛伦兹角取决于磁场、传感器内部电场和温度。本研究研究了通量高达10^16 n/cm^2的辐射敏感性。通过将670 nm红色或1070 nm红外激光束注入辐照硅传感器的背面，在高达8 T的磁场中操作，测量了洛伦兹位移。对于空穴，位移随辐射增加而增加，而对于电子，位移随辐射减小甚至改变符号。辐照传感器中电子的洛伦兹位移小于空穴，这与未辐照传感器中的观察结果相反，这一事实可以定性地由辐照传感器中的电场结构解释。
引用
@article{arxiv.1005.3629,
title = {Lorentz shift measurements in heavily irradiated silicon detectors in high magnetic fields},
author = {Wim de Boer and Karl-Heinz Hoffmann and Andreas Sabellek and Mike Schmanau and Michael Schneider and Valery Zhukov and Theo Schneider},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.3629},
year = {2014}
}
备注
Accepted publication for RD09 conference in Proceedings of Science