分段硅传感器在Si-SiO2界面处的电荷损失
仪器与探测器
2013-01-01 v2
摘要
利用多通道时间分辨电流测量（multi TCT），研究了p+n硅条状传感器对由聚焦亚纳秒激光（波长660 nm）在Si-SiO2界面附近产生的电子-空穴对的电荷收集。研究了经1 MGy X射线辐照前后的传感器。读出条和背面电极上感应的电荷信号随光斑位置的变化由一个模型描述，该模型能够定量确定Si-SiO2界面附近的电荷损失以及电子积累层和空穴反型层的宽度。根据所施加的偏置电压、偏置历史和环境条件（如湿度），观察到不完全的电子或空穴收集以及不同宽度的积累层。此外，结果还依赖于传感器偏置后的时间，时间常数可长达数天。借助详细的传感器模拟对观测结果进行了定性解释。最后，讨论了这些结果对X射线光子和带电粒子探测以及分段p+n硅传感器稳定运行的相关性。
引用
@article{arxiv.1207.6538,
title = {Charge losses in segmented silicon sensors at the Si-SiO2 interface},
author = {Thomas Poehlsen and Eckhart Fretwurst and Robert Klanner and Sergej Schuwalow and Jörn Schwandt and Jiaguo Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.6538},
year = {2013}
}