被动 CMOS 条带传感器的特性表征
仪器与探测器
2022-05-04 v1 高能物理 - 实验
摘要
CMOS 成像传感器技术（例如 CMOS 像素传感器）的最新进展已证明，CMOS 工艺具有足够的辐射耐受性，可应对强子对撞机实验中径迹层所需的特定辐射水平。随着硅径迹探测器覆盖面积的不断增加，亟需当前硅传感器的经济高效替代方案以及更高集成度的设计。本文描述了在被动 p-CMOS 工艺中制造的硅条带传感器实验室测量结果。利用 90Sr 放射源与红外波长激光进行的电学表征和电荷收集测量表明，缝合工艺对传感器性能无影响。
引用
@article{arxiv.2204.00501,
title = {Characterization of Passive CMOS Strip Sensors},
author = {Leena Diehl and Marta Baselga and Ingrid Maria Gregor and Marc Hauser and Tomasz Hemperek and Jan Cedric Hönig and Karl Jakobs and Sven Mägdefessel and Ulrich Parzefall and Arturo Rodriguez and Surabhi Sharma and Dennis Sperlich and Liv Wiik-Fuchs and Tianyang Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.00501},
year = {2022}
}
备注
6 pages, 16 figures