用于未来径迹探测器的 CMOS 传感器概览
仪器与探测器
2019-10-17 v1
摘要
耗尽型 CMOS 传感器正成为未来高亮度对撞机径迹探测器的主要候选技术之一。其将传感二极管集成到承载前端电子器件的 CMOS 晶圆中的能力，可降低噪声并提高信号灵敏度。由于能够施加高耗尽电压且可获得相对高电阻率的衬底，它们适用于高辐射环境。采用 CMOS 商业制造工艺可降低成本，并允许更快地构建大面积探测器。本文将对这类器件的最新技术水平提供一个总体展望，并总结在 CERN RD50 合作框架内围绕这些器件开展的主要进展。
引用
@article{arxiv.1910.07284,
title = {Overview of CMOS sensors for future tracking detectors},
author = {Ricardo Marco Hernandez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.07284},
year = {2019}
}
备注
Proceedings of the CTD/WIT 2019