利用双光子吸收激光对硅传感器的电荷与时间特性进行表征
仪器与探测器
2022-02-23 v3
摘要
介绍了Nikhef新投入使用的双光子吸收（TPA）装置的首次测量结果。讨论了系统各组件的表征。对两个平面硅传感器（一个为电子收集型，一个为空穴收集型）进行了电荷收集和时间分辨率的详细测量表征。确定TPA光斑在硅中的半径为0.975(11) ，长度为23.8 。系统的触发时间分辨率最大为30.4 ps。对于两个传感器，均观察到像素上均匀的电荷收集，并利用TPA技术直接成像了像素侧金属化。电子收集型和空穴收集型传感器单像素的最佳时间分辨率分别为600 ps和560 ps，且主要由ASIC贡献决定。在传感器不同深度和像素内不同位置进行了进一步扫描，显示出均匀的响应。结论是，TPA装置是研究硅传感器电荷收集和时间特性的有力工具。
引用
@article{arxiv.2112.11727,
title = {Charge and temporal characterisation of silicon sensors using a two-photon absorption laser},
author = {R. Geertsema and K. Akiba and M. van Beuzekom and T. Bischoff and K. Heijhoff and H. Snoek},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.11727},
year = {2022}
}