基于 Timepix3 ASIC 的硅传感器时间特性表征
仪器与探测器
2021-08-09 v2 高能物理 - 实验
摘要
在高达 的不同类型辐照前后，研究了凸点键合到 Timepix3 ASIC 上的硅传感器的时间性能。传感器在两种不同配置下用带电粒子束进行了测试：垂直于入射束和几乎平行于入射束。第二种方法称为掠入射角法，被证明是一种强大的方法，不仅可以研究电荷收集，还可以研究阈值时间特性随电荷释放深度的变化关系。
引用
@article{arxiv.2102.06088,
title = {Temporal characterisation of silicon sensors on Timepix3 ASICs},
author = {Elena Dall'Occo and Kazu Akiba and Martin van Beuzekom and Emma Buchanan and Paula Collins and Timothy Evans and Vinicius Franco Lima and Robbert Geertsema and Heinrich Schindler and Hella Snoek and Panagiotis Tsopelas},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.06088},
year = {2021}
}