基于GaAs:Cr的Timepix探测器的性质
仪器与探测器
2018-03-14 v1
摘要
得益于单光子计数，混合像素探测器技术为X射线成像带来了高空间分辨率下的低噪声水平。然而，作为最广泛使用的探测器材料，硅对能量高于30 keV的光子灵敏度有限。这就是为什么近年来诸如砷化镓和碲化镉等高原子序数硅替代材料日益受到业界关注，以用于开发X射线成像系统。我们在本工作中展示了对与铬补偿砷化镓（GaAs:Cr）传感器凸点键合而成的Timepix探测器的研究结果。从实用角度最为重要的性质：IV特性、电荷传输特性、运行稳定性、均匀性、温度依赖性以及能量和空间分辨率均被考虑。讨论了这些探测器在光谱型X射线成像中的适用性。
引用
@article{arxiv.1712.03369,
title = {Properties of GaAs:Cr-based Timepix detectors},
author = {P. Smolyanskiy and G. Chelkov and S. Kotov and U. Kruchonak and D. Kozhevnikov and S. Pospisil and I. Stekl and A. Zhemchugov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.03369},
year = {2018}
}