量化基于GaAs:Cr传感器的混合像素探测器在透射电子显微镜中的性能
仪器与探测器
2021-06-11 v1 材料科学
摘要
混合像素探测器（HPDs）已被证明对透射电子显微镜中基于衍射和时间分辨的研究非常有效，但其性能受限于高能电子在其厚硅传感器中散射距离长这一事实。与单片有源像素传感器（MAPS）相比，HPDs的一个优势是其传感器无需由硅制成。我们使用能量范围为60–300keV的初级电子，比较了配备Si传感器和GaAs:Cr传感器的Medipix3 HPD的性能。我们描述了对探测器的调制传递函数（MTF）和探测量子效率（DQE）的测量与计算，结果表明对于高能电子，GaAs:Cr器件的性能明显优于Si器件。
引用
@article{arxiv.2009.14565,
title = {Quantifying the Performance of a Hybrid Pixel Detector with GaAs:Cr Sensor for Transmission Electron Microscopy},
author = {Kirsty A. Paton and Matthew C. Veale and Xiaoke Mu and Christopher S. Allen and Dzmitry Maneuski and Christian Kübel and Val O'Shea and Angus I. Kirkland and Damien McGrouther},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.14565},
year = {2021}
}
备注
15 pages + references, 13 figures