SiGe BiCMOS 技术单片硅像素探测器的效率与时间分辨率
仪器与探测器
2022-02-23 v2
摘要
IHP 采用 SiGe BiCMOS SG13G2 130 nm 节点技术制作了一款单片硅像素探测器原型。该 ASIC 包含一个间距约为 100 m 的六角形像素矩阵。三个模拟像素在实验室中用放射源进行了标定，并在 CERN SPS 的 180 GeV/c 介子束流线上进行了测试。在 150 A 的最高前置放大器偏置电流工作点和 160 V 的传感器偏置电压下，测得探测效率为 %，时间分辨率为 ps。该 ASIC 还在较低的偏置电压和前置放大器电流下进行了表征。
引用
@article{arxiv.2112.08999,
title = {Efficiency and time resolution of monolithic silicon pixel detectors in SiGe BiCMOS technology},
author = {G. Iacobucci and L. Paolozzi and P. Valerio and T. Moretti and F. Cadoux and R. Cardarelli and R. Cardella and S. Débieux and Y. Favre and D. Ferrere and S. Gonzalez-Sevilla and Y. Gurimskaya and R. Kotitsa and C. Magliocca and F. Martinelli and M. Milanesio and M. Münker and M. Nessi and A. Picardi and J. Saidi and H. Rücker and M. Vicente Barreto Pinto and S. Zambito},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.08999},
year = {2022}
}