100微秒读出时间的CMOS像素传感器对最小电离粒子的探测性能
仪器与探测器
2009-02-17 v1 高能物理 - 实验
摘要
为国际直线对撞机顶点探测器正在开发快速、高分辨率的CMOS像素传感器，旨在允许非常接近相互作用点。一个主要问题是传感器的时间分辨率，以应对束流相关本底产生的高占据率。2008年，在欧盟EUDET项目框架内制造了一个128x576像素的传感器，提供数字化输出，读出时间为92.5微秒，并在CERN-SPS上用带电粒子进行了测试。本文概述了其在噪声、探测效率与假击中率、空间分辨率和辐射耐受性方面的突出性能。这些性能验证了该传感器架构。
引用
@article{arxiv.0902.2717,
title = {M.i.p. detection performances of a 100 us read-out CMOS pixel sensor with digitised outputs},
author = {Marc Winter and Jerome Baudot and Auguste Besson and Claude Colledani and Yavuz Degerli and Rita De Masi and Andrei Dorokhov and Guy Doziere and Wojciech Dulinski and Marie Gelin and Fabrice Guilloux and Abdelkader Himmi and Christine Hu-Guo and Frederic Morel and Fabienne Orsini and Isabelle Valin and Georgios Voutsinas},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.2717},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 1 figure, LCWS08 proceedings