SiGe BiCMOS 技术单片硅像素原型的時間分辨率和功耗
仪器与探测器
2020-12-30 v2
摘要
SiGe BiCMOS 技术可用于制造超快、低功耗的硅像素传感器，即使没有内部增益机制也能提供最先进的時間分辨率。此类传感器的开发需要识别可能劣化计时性能的主要因素，并表征传感器時間分辨率对放大器功耗的依赖性。使用 IHP Microelectronics 的 SG13G2 技术制造的原型传感器以 源进行的测量显示，在放大器电流为 7 A 时時間分辨率为 140 ps，在更高功耗下为 45 ps。完整模拟表明，用于校正时间游走的信号时间过阈值的测量分辨率是影响计时性能的主要因素。
引用
@article{arxiv.2005.14161,
title = {Time resolution and power consumption of a monolithic silicon pixel prototype in SiGe BiCMOS technology},
author = {L. Paolozzi and R. Cardarelli and S. Débieux and Y. Favre and D. Ferrère and S. Gonzalez-Sevilla and G. Iacobucci and M. Kaynak and F. Martinelli and M. Nessi and H. Rücker and I. Sanna and DMS Sultan and P. Valerio and E. Zaffaroni},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.14161},
year = {2020}
}